#5369985

500 ГБ M.2 NVMe накопитель Netac NV3000 [NT01NV3000-500-E4X]

[PCIe 3.0 x4, чтение - 3000 Мбайт/сек, запись - 2100 Мбайт/сек, 4 бит QLC, TBW - 300 ТБ] подробнее

Память (ГБ)
168.90 BYN

под заказ напишите нам WhatsApp или Telegram +375 (44) 751 62 39

Товар под заказ
  • Характеристики
  • Отзывы 40
  • Инструкции и файлы

Характеристики 500 ГБ M.2 NVMe накопитель Netac NV3000 [NT01NV3000-500-E4X]

Общие параметры

Тип
SSD M.2 накопитель
Модель
Netac NV3000
Код производителя
[NT01NV3000-500-E4X]

Основные характеристики

Объем накопителя
500 ГБ
Форм-фактор
2280
Физический интерфейс
PCIe 3.0 x4
Ключ M.2 разъема
M
NVMe
есть

Конфигурация накопителя

Количество бит на ячейку
4 бит QLC
Структура памяти
3D NAND
DRAM буфер
нет

Показатели скорости

Максимальная скорость последовательного чтения
3000 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
2100 Мбайт/сек

Надежность

Максимальный ресурс записи (TBW)
300 ТБ
DWPD
0.33

Дополнительная информация

Радиатор в комплекте
есть

Габариты

Длина
80 мм
Ширина
22 мм
Толщина
2.9 мм

Описание

SSD M.2 накопитель Netac NV3000 [NT01NV3000-500-E4X] имеет объем 500 ГБ. Устройство соответствует самому распространенному форм-фактору – 2280. Накопитель совместим почти с любыми материнскими платами стационарных компьютеров и подходит для многих ноутбуков. Для передачи данных используется интерфейс PCI-E 3.x x4. При любых нагрузках накопитель защищен от перегрева радиатором. Толщина 2.9 мм расширяет совместимость устройства с портативным оборудованием. SSD M.2 накопитель Netac NV3000 [NT01NV3000-500-E4X] поддерживает интеллектуальную коррекцию ошибок LDPC. Устройство обеспечивает высокую скорость загрузки операционной системы и операций с файлами. Производительность накопителя достаточна для продуктивной работы с любым типовым программным обеспечением. Максимальная скорость последовательного чтения равна 3000 МБ/с. Соответствующий показатель для записи – 2100 МБ/с. Максимальный ресурс записи накопителя – 300 ТБ. Показатель является преимуществом для SSD рассматриваемого объема. Накопитель рассчитан на высокую интенсивность перезаписи информации.