Каталог

Код товара: 5405865

Серверный процессор Intel Xeon Gold 5415+ OEM

[LGA 4677, 8 x 2.9 ГГц, L3 - 22.5 МБ, 8хDDR5-4400 МГц, TDP 150 Вт] подробнее

Сравнить
нет отзывов
Гарантия: 12 мес.
4 060.90 BYN

Нет в наличии

Товара нет в наличии
  • Характеристики
  • Отзывы 0

Характеристики Серверный процессор Intel Xeon Gold 5415+ OEM

Общие параметры

Тип
серверный процессор
Модель
Intel Xeon Gold 5415+
Код производителя
[PK8071305118701]
Производитель процессора
Intel
Система охлаждения в комплекте
нет
Термоинтерфейс в комплекте
нет

Основные характеристики

Сокет
LGA 4677
Количество производительных ядер
8
Количество энергоэффективных ядер
0
Максимальное число потоков
16
Базовая частота процессора
2.9 ГГц
Максимальная частота в турбо режиме
4.1 ГГц
Объем кэша L3
22.5 МБ
Техпроцесс
10 нм
Архитектура
Sapphire Rapids
Ядро
Sapphire Rapids SP

Параметры оперативной памяти

Тип памяти
DDR5
Максимально поддерживаемый объем памяти
4096 ГБ
Максимальное число каналов
8
Максимальная частота оперативной памяти
4400 МГц
Поддержка режима ECC
есть

Тепловые характеристики

Тепловыделение (TDP)
150 Вт
Максимальная температура процессора
78 °C

Графическое ядро

Интегрированное графическое ядро
нет

Шина и контроллеры

Встроенный контроллер PCI Express
PCI-E 5.0
Число линий PCI Express
80 шт

Дополнительно

Максимальная конфигурация
2

Описание

Серверный процессор Intel Xeon Gold 5415+ – модель с 8 производительными ядрами и тактовой частотой 2.9 ГГц, предназначенная для использования в серверах и профессиональных рабочих станциях. 16-поточный чипсет способен контролировать работу нескольких мощных программ, благодаря чему система будет функционировать без ошибок, выполняя сложные вычислительные операции. Для защиты от системных сбоев серверный процессор Intel Xeon Gold 5415+ располагает 80 линиями PCI-E 5.0 с высокой пропускной способностью. С данной моделью можно использовать до 4 ТБ оперативной памяти, что поможет создать мощную рабочую станцию для решения любых задач. Поддержка режима ECC позволит задействовать в компьютере плашки ОЗУ с технологией коррекции ошибок. 10-нанометровый техпроцесс позволил добиться сниженной энергоэффективности чипсета.