Каталог

#5407426

Оперативная память Samsung [M323R1GB4DB0-CWM] 8 ГБ

[DDR5, 8 ГБx1 шт, 5600 МГц, 40] подробнее

9
Гарантия: 12 мес.
122.90 BYN

Нет в наличии

Товара нет в наличии
  • Характеристики
  • Отзывы 9

Характеристики Оперативная память Samsung [M323R1GB4DB0-CWM] 8 ГБ

Общие параметры

Тип
оперативная память
Модель
Samsung
Код производителя
[M323R1GB4DB0-CWM]

Объем и состав комплекта

Тип памяти
DDR5
Форм-фактор памяти
DIMM
Суммарный объем памяти всего комплекта
8 ГБ
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 шт
Регистровая память
нет
ECC-память
нет
Ранговость
одноранговая

Быстродействие

Тактовая частота
5600 МГц
Профили AMD EXPO
нет
Профили Intel XMP
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
40

Конструкция

Наличие радиатора
нет
Подсветка элементов платы
нет
Высота
31.25 мм
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Дополнительно

Напряжение питания
1.1 В

Описание

8-гигабайтная оперативная память Samsung [M323R1GB4DB0-CWM] предназначена для оснащения производительных офисных и домашних компьютеров универсального назначения. Устройство соответствует типу DDR5. Тактовая частота модуля высока – 5600 МГц. Производительность памяти достаточна для эффективной работы любого типового программного обеспечения. Устройство не поддерживает функции коррекции ошибок и буферизации. Память рассчитана на работу в составе настольных ПК: она не подходит для серверов. Оперативная память Samsung [M323R1GB4DB0-CWM] использует стандартное для DDR5 напряжение питания – 1.1 В. Устройство демонстрирует низкий уровень энергопотребления. Выделение тепла минимально. Модуль не имеет радиатора. Чипы памяти размещены с одной стороны устройства.