#8143751

Оперативная память G.Skill Ripjaws V [F4-3200C16D-32GVK] 32 ГБ

[DDR4, 16 ГБx2 шт, 3200 МГц, 16(CL)-18-18-38] подробнее

490
Гарантия: 99 мес.
315.90 BYN

под заказ напишите нам WhatsApp или Telegram +375 (44) 751 62 39

Товар под заказ
  • Характеристики
  • Отзывы 490
  • Инструкции и файлы

Характеристики Оперативная память G.Skill Ripjaws V [F4-3200C16D-32GVK] 32 ГБ

Общие параметры

Тип
оперативная память
Модель
G.Skill Ripjaws V
Код производителя
[F4-3200C16D-32GVK]

Объем и состав комплекта

Тип памяти
DDR4
Форм-фактор памяти
DIMM
Суммарный объем памяти всего комплекта
32 ГБ
Объем одного модуля памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
2 шт
Регистровая память
нет
ECC-память
нет

Быстродействие

Тактовая частота
3200 МГц
Профили Intel XMP
3200 МГц (16-18-18-38)

Тайминги

CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38

Конструкция

Наличие радиатора
есть
Подсветка элементов платы
нет
Высота
42 мм
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Дополнительно

Напряжение питания
1.35 В

Описание

Оперативная память G.Skill RIPJAWS V [F4-3200C16D-32GVK] представляет собой комплект из двух модулей емкостью 16 ГБ каждый, благодаря которым вы сможете вывести производительность вашего компьютера на новый уровень. Данная модель выполнена в форм-факторе DIMM и соответствует типу DDR4. Благодаря этому тактовая частота составляет 3200 МГц, что вкупе с пропускной способностью PC25600 и таймингами, значение которых соответствует 16-18-18-38, обеспечивает высокое быстродействие при выполнении любых операций. Оперативная память G.Skill RIPJAWS V [F4-3200C16D-32GVK] выполнена в корпусе со стильным дизайном, сочетающим в себе необычные формы и строгий черный цвет. Помимо этого модель использует в своей основе первоклассные материалы и компоненты, что обеспечивает высокую надежность. Другой отличительной особенностью конструкции является наличие пассивного радиатора, предотвращающего перегрев при длительной работе. Высота планки составляет 42 мм. Напряжение питания оперативной памяти не превышает 1.35 В.